Boston0099.wordpress.com Website Review

3.1 Procese fizice la jonc.iunea pn Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice cu dou. terminale, care au in structura lor o jonc.iune pn, o regiune de tip p .i una de tip n, realizate in aceea.i re.ea cristalin. continu., .i dou. contacte ohmice (terminale). Valoarea conductivit..ii electrice depinde de sensul tensiunii aplicate: pentru sensul direct, care mic.oreaz. bariera energetic. de echilibru, conductivitatea are o valoare ridicat., iar pentru sensul invers, care m.re.te bariera energetic., conductivitatea devine redus. Exist. multe tipuri de diode: redresoare, stabilizatoare, de detec.ie, de comuta.ie, VARACTOR, tunel, IMPATT, PIN, GUNN.a. In continuare se vor an*liza procesele fizice din jonc.iunea pn, modul de polarizare al acesteia, o serie de tipuri de diode cu aplica.iile principale .i exemple concrete de dispozitive. La contactul dintre dou. solide cu nivele Fermi diferite, se formeaz. o barier. energetic. Wb datorit. difuziei purt.torilor de sarcin. contact .i este localizat pe un spa.iu foarte ingust la suprafa.a de contact). Se consider. un material semiconductor in care se realizeaz. o regiune de tip n .i una de tip p. La suprafa.a de separa.ie a celor dou. regiuni se formeaz. o jonc.iune pn caracterizat. prin: l.rgime, sarcin. spa.ial., camp electric, poten.ial de difuzie .i capacitate electric. Jonc.iunea pn este elementul de baz. in majoritatea dispozitivelor electronice. Dac. prin dopare se realizeaz. condi.ia ca valorile concentra.iilor NA .i ND in cele dou. regiuni s. fie constante iar varia.ia acestora s. aib. loc numai la suprafa.a de separa.ie, jonc.iunea se nume.te abrupt. .i ideal. De obicei, in practic. NA ‚ ND. In regiunile p .i n indep.rtate de jonc.iune, concentra.iile purt.torilor de sarcin. sunt determinate de dopare .i de temperatur. (in regiunea p: pp â np .i pp. NA, iar in regiunea n: nn â pn .i nn. ND). Trecand de la o regiune la alta concentra.iile electronilor .i golurilor variaz. brusc. Purt.torii